【太平洋科技资讯】据行业人士透露，英伟达已经与三星就3nm GAA工艺制程进行了接洽，如果一切顺利，预计在2025年进行量产。此举进一步证实了之前的报道，下一代英伟达旗舰显卡凯时尊龙RTX 5090将采用3nm工艺，并预计在明年年底推出。

据了解，英伟达RTX 40系显卡代号为Ada Lovelace，而下一代RTX显卡的代号为Blackwell。Blackwell的晶体管数量将超过150亿，密度接近3亿/mm ，核心时钟将超过3 Ghz，总线密度将达到512 bits。

根据早前外媒泄露的消息，基于GB102的RTX 5090将包含144组SM单元，即18432个CUDA（假设每组SM仍为128个CUDA），比RTX 4090多出12.5%。此外，RTX 5090还将配备96MB二级缓存，匹配GDDR7显存（384bit位宽），并支持PCIe 5.0 x16。

此外，微星在台北Computex电脑展上展示了下一代英伟达RTX旗舰显卡的散热设计。根据展示图，微星采用了动态双金属鳍片（Dynamic Bimetallic Fin），六条贯穿式纯铜热管以及大面积铝质鳍片中嵌入的铜片，进一步增强了散热效果。同时，显存区域也有对应的铜片，这表明下一代显卡将着重设计散热系统。

下一代英伟达旗舰显卡RTX 5090的技术规格令人期待，尤其是其超高的晶体管数量和密度，以及强大的散热设计。